美光科技已启动量产适用于英伟达最新AI芯片的美光高速内存半导体，周一（26 日）盘前股价涨幅达4%以上。科技宽存该司宣称，启动新款HBM3E存储芯片的高带供支性能较其他竞品能降低30%能耗，助力满足日益增加的储芯产为持AI生成型应用需求。

英伟达下一代H200图形处理器将采用美光HBM3E芯片，片生片提预计于今年第2季交付，英伟有望超越现有的达最H100芯片，为美光科技贡献更高业绩。新AI芯此外，美光龙头厂商SK海力士等供应的科技宽存AI HBM（高宽带存储器）芯片市场需求持续升温，令投资者对美光将稳健应对市场逐步回暖抱有期待。启动

值得注意的高带供支是，HBM可谓是储芯产为持美光科技盈利最多的业务之一，这与其先进复杂的片生片提制造工艺密不可分。据企业此前透露，预期2024财年HBM部门销售额将累计超过“数亿”美元，且在2025年保持稳速递增。